VN10KCSM4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VN10KCSM4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   tonⓘ - Tiempo de encendido: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN10KCSM4

VN10KCSM4 Datasheet (PDF)

..1. Size:129K semelab
vn10kcsm4.pdf

VN10KCSM4

8.1. Size:51K vishay
vn10kc.pdf

VN10KCNew ProductVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)60 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.31FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Zener Diode Input Protected D Extra ESD Protection D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors, etc.D Low On-Resistance: 3 W D Low Offset VoltageD Batt

9.1. Size:57K 1
vn0610l vn10kls vn2222l.pdf

VN0610L, VN10KLS, VN2222LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETs with Zener GatePRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0610L 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.27VN10KLS 60 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.31VN2222L 7.5 @ VGS = 10 V 0.6 to 2.5 0.23FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Zener Diode Input Protected D Extra ESD Protection D Drivers: Rel

9.2. Size:57K vishay
vn0610l vn10kls vn2222l.pdf

9.3. Size:571K supertex
vn10k.pdf

Supertex inc. VN10KN-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a Free from secondary breakdownvertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

9.4. Size:223K semelab
vn10k-to18.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET VN10K Low RDS(on), VGS(th), CISS And Fast Switching Speeds Hermetic TO-18 Metal package. Ideally Suited For Power Supply Circuits, Switching And Driver (Relay, Solenoid, Lamp etc..) Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 60V VGS G

9.5. Size:202K siliconix
vn0619l vn10km vn2222l.pdf

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: