VN2406D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VN2406D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 240 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN2406D

VN2406D Datasheet (PDF)

..1. Size:54K vishay
tn2410l vn2406d vn2406l vn2410ls.pdf

TN2410L, VN2406D/L, VN2410L/LSVishay SiliconixN-Channel 240-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN2410L 10 @ VGS = 4.5 V 0.5 to 1.8 0.18VN2406D 6 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 1.12VN2406L 240 6 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.18VN2410L 10 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.18VN2410LS 10 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.19FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD

0.1. Size:64K vishay
tn2410l vn2406d-l vn2410l-ls.pdf

8.1. Size:56K motorola
vn2406l.rev1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN2406L/DTMOS FET TransistorVN2406L3 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 240 Vdc 123DrainGate Voltage VDGR 60 VdcGateSource VoltageCASE 2904, STYLE 22 Continuous VGS 20 VdcTO92 (

8.2. Size:546K supertex
vn2406.pdf

Supertex inc. VN2406N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

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Liste

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