VN2460N3 Todos los transistores

 

VN2460N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN2460N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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VN2460N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:700K  supertex
 vn2460.pdf pdf_icon

VN2460N3

Supertex inc. VN2460N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed

Otros transistores... VN2406D , VN2406L , VN2410 , VN2410L , VN2410LS , VN2450N8 , VN2450N3 , VN2460N8 , STP80NF70 , SM8206AO , SM8A01NSW , SM8A02NSF , SM8A02NSFP , SM8A02NSW , SM8A03NSW , SM8A04NSF , SM8A04NSFP .

History: 12N70G-TF1-T | GSM1073 | 12P10G-AA3-R | GSM1072E | 2N3459 | 12N60G-TF1-T | 12N70KG-TQ2-R

 

 
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