Справочник MOSFET. VN2460N3

 

VN2460N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN2460N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN2460N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN2460N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:700K  supertex
 vn2460.pdf pdf_icon

VN2460N3

Supertex inc. VN2460N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed

Другие MOSFET... VN2406D , VN2406L , VN2410 , VN2410L , VN2410LS , VN2450N8 , VN2450N3 , VN2460N8 , STP80NF70 , SM8206AO , SM8A01NSW , SM8A02NSF , SM8A02NSFP , SM8A02NSW , SM8A03NSW , SM8A04NSF , SM8A04NSFP .

History: AM2323P | SPC6605 | SM514T9RL | AM90N10-23P

 

 
Back to Top

 


 
.