SMC2333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMC2333
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC2333

SMC2333 Datasheet (PDF)

..1. Size:369K semtron
smc2333.pdf

SMC2333 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC2333 is the P-Channel logic enhancement -20V/-6.0A, RDS(ON) =22m(typ)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -20V/-6.0A, RDS(ON) =26m(typ)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -20V/-3.5A, RDS(ON) =36m(typ)@VGS =-2.5V provide excelle

9.1. Size:373K semtron
smc2342a.pdf

SMC2342A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC2342A is the N-Channel logic 20V/5.0A, RDS(ON) =21m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor is 20V/4.0A, RDS(ON) =26m(typ.)@VGS =2.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/2.8A, RDS(ON) =40m(typ.)@VGS =1.8V technology to provide excellent RD

9.2. Size:367K semtron
smc2360.pdf

SMC2360 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC2360 is the N-Channel logic enhancement 60V/6.1A, RDS(ON) =85m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using high cell density. advanced trench technology to Improved dv/dt capability provide excellent RDS(ON) and low gate charge. Fast SwitchingThis device is su

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Liste

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