SMC3054 Todos los transistores

 

SMC3054 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMC3054
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 126 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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SMC3054 Datasheet (PDF)

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SMC3054

SMC3054 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3054 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =24m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =28m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =38m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

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SMC3054

SMC3056 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3056 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =22m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =27m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

Otros transistores... SM9988CO , SM9989DSQG , SM9993DSQG , SM9A01NSF , SM9A01NSFP , SMC2333 , SMC2342A , SMC2360 , STP65NF06 , SMC3056 , SMC3400 , SMC3401 , SMC3407 , SMC3414 , SMC3415A , SMC3535 , SMC4420 .

History: GSM3413

 

 
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