SMC3056 Todos los transistores

 

SMC3056 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMC3056
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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Principales características: SMC3056

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SMC3056

SMC3056 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3056 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =22m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =27m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =35m (typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

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SMC3056

SMC3054 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3054 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =24m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =28m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =38m (typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

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