SMC3056 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMC3056  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SOT-89

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SMC3056 datasheet

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SMC3056

SMC3056 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3056 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =22m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =27m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =35m (typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

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SMC3056

SMC3054 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC3054 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =24m (typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =28m (typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =38m (typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

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