SMC3056 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMC3056
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC3056
SMC3056 Datasheet (PDF)
smc3056.pdf
SMC3056 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3056 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =22m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =27m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS
smc3054.pdf
SMC3054 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3054 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =24m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =28m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =38m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS
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