Справочник MOSFET. SMC3056

 

SMC3056 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC3056
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для SMC3056

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC3056 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  semtron
 smc3056.pdf pdf_icon

SMC3056

SMC3056 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3056 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =22m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =27m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

 8.1. Size:371K  semtron
 smc3054.pdf pdf_icon

SMC3056

SMC3054 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3054 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =24m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =28m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =38m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

Другие MOSFET... SM9989DSQG , SM9993DSQG , SM9A01NSF , SM9A01NSFP , SMC2333 , SMC2342A , SMC2360 , SMC3054 , IRF1405 , SMC3400 , SMC3401 , SMC3407 , SMC3414 , SMC3415A , SMC3535 , SMC4420 , SMC4428 .

History: IPZA60R120P7 | SIA400EDJ

 

 
Back to Top

 


 
.