Справочник MOSFET. SMC3056

 

SMC3056 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC3056
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC3056 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  semtron
 smc3056.pdf pdf_icon

SMC3056

SMC3056 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3056 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =22m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =27m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =35m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

 8.1. Size:371K  semtron
 smc3054.pdf pdf_icon

SMC3056

SMC3054 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3054 is the N-Channel logic enhancement 20V/6.0A, RDS(ON) =24m(typ.)@VGS =4.5V mode power field effect transistor is produced using 20V/4.0A, RDS(ON) =28m(typ.)@VGS =2.5V high cell density. advanced trench technology to 20V/2.8A, RDS(ON) =38m(typ.)@VGS =1.8V provide excellent RDS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IPB065N10N3G | 12N65KL-TF1-T | FDD8896F085 | AOTF11N60 | SIHH14N60E | CJPF05N65 | STK7002

 

 
Back to Top

 


 
.