SMC4420 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMC4420

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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SMC4420 datasheet

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SMC4420

SMC4420 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC4420 is the N-Channel logic enhancement 30V/14A, RDS(ON) =10m (typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/12A, RDS(ON) =12m (typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely low provide excellent

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SMC4420

SMC4428 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC4428 is the N-Channel logic enhancement 30V/20A, RDS(ON) =6m (typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/16A, RDS(ON) =8m (typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely low provide excellent R

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