Справочник MOSFET. SMC4420

 

SMC4420 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC4420
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SMC4420

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC4420 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  semtron
 smc4420.pdf pdf_icon

SMC4420

SMC4420 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4420 is the N-Channel logic enhancement 30V/14A, RDS(ON) =10m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/12A, RDS(ON) =12m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely low provide excellent

 8.1. Size:378K  semtron
 smc4428.pdf pdf_icon

SMC4420

SMC4428 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4428 is the N-Channel logic enhancement 30V/20A, RDS(ON) =6m(typ.)@VGS =10V mode power field effect transistor is produced using 30V/16A, RDS(ON) =8m(typ.)@VGS =4.5V high cell density. advanced trench technology to Super high density cell design for extremely low provide excellent R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF3205H | SMC2342A | IRF520NS

 

 
Back to Top

 


 
.