SMC4812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMC4812
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 4.8 nC
Tiempo de subida (tr): 37.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 63 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC4812
SMC4812 Datasheet (PDF)
..1. Size:1388K semtron
smc4812.pdf
smc4812.pdf
SMC4812 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4812 is the N-Channel logic 30V / 7.8A, RDS(ON) =14m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 30V / 5.8A, RDS(ON) =20m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench Super high density cell design for extremely low technology to provide exce
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
