SMC4812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMC4812
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de SMC4812 MOSFET
SMC4812 Datasheet (PDF)
smc4812.pdf

SMC4812 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4812 is the N-Channel logic 30V / 7.8A, RDS(ON) =14m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 30V / 5.8A, RDS(ON) =20m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench Super high density cell design for extremely low technology to provide exce
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History: 2SK3023 | UPA1870GR | OSG60R092HF | NCEP60T12K | CED6060N | 2SK2884 | UTT30P06L-TQ2-R
History: 2SK3023 | UPA1870GR | OSG60R092HF | NCEP60T12K | CED6060N | 2SK2884 | UTT30P06L-TQ2-R



Liste
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