SMC4812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMC4812
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC4812

SMC4812 Datasheet (PDF)

..1. Size:1388K semtron
smc4812.pdf

SMC4812 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC4812 is the N-Channel logic 30V / 7.8A, RDS(ON) =14m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 30V / 5.8A, RDS(ON) =20m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench Super high density cell design for extremely low technology to provide exce

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Liste

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