SMC8810 Todos los transistores

 

SMC8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMC8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SMC8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  semtron
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SMC8810

SMC8810 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC8810 is the Dual N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =11.5m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/7.0A, RDS(ON) =12.0m(typ.)@VGS =4.0V which is produced using high cell density. advanced 20V/6.5A, RDS(ON) =12.5m(typ.)@VGS =3.2V trench technology to prov

 0.1. Size:362K  semtron
 smc8810a.pdf pdf_icon

SMC8810

SMC8810A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC8810A is the Single N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =14.5m(typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/6.5A, RDS(ON) =17m(typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced 20V/5.0A, RDS(ON) =27m(typ.)@VGS =1.8V trench technology to prov

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History: FQAF13N80 | AOI1N60L | LSNC60R180HT | LSE70R380GT | 2SK2599 | NTY100N10 | OSG60R1K2DF

 

 
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