SMC8810 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SMC8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMC8810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SMC8810 datasheet

..1. Size:454K semtron
smc8810.pdf pdf_icon

SMC8810 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC8810 is the Dual N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =11.5m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/7.0A, RDS(ON) =12.0m (typ.)@VGS =4.0V which is produced using high cell density. advanced 20V/6.5A, RDS(ON) =12.5m (typ.)@VGS =3.2V trench technology to prov

0.1. Size:362K semtron
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SMC8810A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC8810A is the Single N-Channel logic 20V/7.0A, RDS(ON) =14.5m (typ.)@VGS =4.5V enhancement mode power field effect transistor 20V/6.5A, RDS(ON) =17m (typ.)@VGS =2.5V which is produced using high cell density. advanced 20V/5.0A, RDS(ON) =27m (typ.)@VGS =1.8V trench technology to prov

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