SMC9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMC9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 11.5 nC
Tiempo de subida (tr): 12.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC9926
SMC9926 Datasheet (PDF)
smc9926.pdf
SMC9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC9926 is the Dual N-Channel logic 20V/8.0A, RDS(ON) =17m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 20V/7.0A, RDS(ON) =18m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/6.0A, RDS(ON) =23m(typ.)@VGS =2.5V technology to provide exce
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