SMC9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMC9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMC9926

SMC9926 Datasheet (PDF)

..1. Size:386K semtron
smc9926.pdf

SMC9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC9926 is the Dual N-Channel logic 20V/8.0A, RDS(ON) =17m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 20V/7.0A, RDS(ON) =18m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/6.0A, RDS(ON) =23m(typ.)@VGS =2.5V technology to provide exce

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Liste

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