SMC9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMC9926

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de SMC9926 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SMC9926 datasheet

 ..1. Size:386K  semtron
 smc9926.pdf pdf_icon

SMC9926

SMC9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SMC9926 is the Dual N-Channel logic 20V/8.0A, RDS(ON) =17m (typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 20V/7.0A, RDS(ON) =18m (typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/6.0A, RDS(ON) =23m (typ.)@VGS =2.5V technology to provide exce

Otros transistores... SMC4420, SMC4428, SMC4738, SMC4812, SMC8205AS, SMC8205AW, SMC8810, SMC8810A, IRFZ44N, SML0505FN, SML1004R2GXN, SML100B11F, SML100B13F, SML100H9, SML100J19F, SML100L16, SML100M12MSF