Справочник MOSFET. SMC9926

 

SMC9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SMC9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  semtron
 smc9926.pdf pdf_icon

SMC9926

SMC9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC9926 is the Dual N-Channel logic 20V/8.0A, RDS(ON) =17m(typ.)@VGS =10V enhancement mode power field effect transistor is 20V/7.0A, RDS(ON) =18m(typ.)@VGS =4.5V produced using high cell density. advanced trench 20V/6.0A, RDS(ON) =23m(typ.)@VGS =2.5V technology to provide exce

Другие MOSFET... SMC4420 , SMC4428 , SMC4738 , SMC4812 , SMC8205AS , SMC8205AW , SMC8810 , SMC8810A , IRFZ44N , SML0505FN , SML1004R2GXN , SML100B11F , SML100B13F , SML100H9 , SML100J19F , SML100L16 , SML100M12MSF .

History: APT50M85B2VFR | HGM046NE6AL | CED05N65 | IXTN200N10T | BUK7K32-100E | OSG60R180PF | OSG60R070PT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.