SML25SCM650N2A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SML25SCM650N2A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.148 Ohm

Encapsulados: TO-276AB

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SML25SCM650N2A datasheet

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SML25SCM650N2A

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET - S4 SML25SCM650N2A SiC MOSFET MOSFET In A Hermetic SMD1 Package Silver Sintered die attached for improved thermal performance Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 +22V

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SML25SCM650N2A

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET SML25SCM650N2B 650V SiC MOSFET In A Hermetic SMD1 (TO-276AB) Package Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 +22V ID Tc = 25 C Continuous Drain Current(1) 25A IDM Pulsed

Otros transistores... SML1310IGF, SML2005SMD1, SML20B56F, SML20B67F, SML20J175F, SML20J97F, SML20L100F, SML2308CSM4, IRFB4115, SML25SCM650N2B, SML2955CSM4, SML30B40F, SML30B48F, SML30J130F, SML30J70F, SML30L76F, SML3520AN