SML25SCM650N2A Todos los transistores

 

SML25SCM650N2A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SML25SCM650N2A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.148 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-276AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

SML25SCM650N2A Datasheet (PDF)

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SML25SCM650N2A

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET - S4 SML25SCM650N2A SiC MOSFET MOSFET In A Hermetic SMD1 Package Silver Sintered die attached for improved thermal performance Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V

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SML25SCM650N2A

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET SML25SCM650N2B 650V SiC MOSFET In A Hermetic SMD1 (TO-276AB) Package Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V ID Tc = 25C Continuous Drain Current(1) 25A IDM Pulsed

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SML801R2AN | SSF11NS70UF | PJF3NA80 | SI4368DY | MTP2402Q8 | APL602B2G | SWK15N04V

 

 
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