SML25SCM650N2A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML25SCM650N2A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.148 Ohm

Тип корпуса: TO-276AB

Аналог (замена) для SML25SCM650N2A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML25SCM650N2A даташит

 ..1. Size:255K  semelab
 sml25scm650n2a.pdf pdf_icon

SML25SCM650N2A

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET - S4 SML25SCM650N2A SiC MOSFET MOSFET In A Hermetic SMD1 Package Silver Sintered die attached for improved thermal performance Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 +22V

 1.1. Size:469K  semelab
 sml25scm650n2b.pdf pdf_icon

SML25SCM650N2A

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET SML25SCM650N2B 650V SiC MOSFET In A Hermetic SMD1 (TO-276AB) Package Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 +22V ID Tc = 25 C Continuous Drain Current(1) 25A IDM Pulsed

Другие IGBT... SML1310IGF, SML2005SMD1, SML20B56F, SML20B67F, SML20J175F, SML20J97F, SML20L100F, SML2308CSM4, IRFB4115, SML25SCM650N2B, SML2955CSM4, SML30B40F, SML30B48F, SML30J130F, SML30J70F, SML30L76F, SML3520AN