SML25SCM650N2B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SML25SCM650N2B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.148 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-276AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SML25SCM650N2B
SML25SCM650N2B Datasheet (PDF)
sml25scm650n2b.pdf
SiC 650V N-CHANNEL MOSFET SML25SCM650N2B 650V SiC MOSFET In A Hermetic SMD1 (TO-276AB) Package Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V ID Tc = 25C Continuous Drain Current(1) 25A IDM Pulsed
sml25scm650n2a.pdf
SiC 650V N-CHANNEL MOSFET - S4 SML25SCM650N2A SiC MOSFET MOSFET In A Hermetic SMD1 Package Silver Sintered die attached for improved thermal performance Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V
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History: SML6070BN
History: SML6070BN
Liste
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