Справочник MOSFET. SML25SCM650N2B

 

SML25SCM650N2B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML25SCM650N2B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.148 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML25SCM650N2B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  semelab
 sml25scm650n2b.pdf pdf_icon

SML25SCM650N2B

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET SML25SCM650N2B 650V SiC MOSFET In A Hermetic SMD1 (TO-276AB) Package Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V ID Tc = 25C Continuous Drain Current(1) 25A IDM Pulsed

 1.1. Size:255K  semelab
 sml25scm650n2a.pdf pdf_icon

SML25SCM650N2B

SiC 650V N-CHANNEL MOSFET - S4 SML25SCM650N2A SiC MOSFET MOSFET In A Hermetic SMD1 Package Silver Sintered die attached for improved thermal performance Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDQ7236AS | SIHG47N60S | AP6P025I | 9N95 | TK3R3E03GL | STB34NM60N | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.