SML25SCM650N2B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SML25SCM650N2B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.148 Ohm
Тип корпуса: TO-276AB
Аналог (замена) для SML25SCM650N2B
SML25SCM650N2B Datasheet (PDF)
sml25scm650n2b.pdf
SiC 650V N-CHANNEL MOSFET SML25SCM650N2B 650V SiC MOSFET In A Hermetic SMD1 (TO-276AB) Package Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V ID Tc = 25C Continuous Drain Current(1) 25A IDM Pulsed
sml25scm650n2a.pdf
SiC 650V N-CHANNEL MOSFET - S4 SML25SCM650N2A SiC MOSFET MOSFET In A Hermetic SMD1 Package Silver Sintered die attached for improved thermal performance Designed for High Temperature Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 650V VGS Gate Source Voltage -6 ~ +22V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918