SML50J10RU2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SML50J10RU2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 312 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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SML50J10RU2 datasheet

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SML50J10RU2

SML50J10RU2 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3

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SML50J10RU2

SML50J44F SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) N CHANNEL 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 ENHANCEMENT MODE 4.3 (0.169 ) (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) HIGH VOLTAGE 1 2 (4 places) R POWER FREDFET 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3

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SML50J10RU2

SML50J44 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3 V

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SML50J10RU2

SML50J50 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3 V

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