SML50J10RU2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SML50J10RU2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
Аналог (замена) для SML50J10RU2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SML50J10RU2 даташит
sml50j10ru2.pdf
SML50J10RU2 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3
sml50j44f.pdf
SML50J44F SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) N CHANNEL 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 ENHANCEMENT MODE 4.3 (0.169 ) (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) HIGH VOLTAGE 1 2 (4 places) R POWER FREDFET 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3
sml50j44.pdf
SML50J44 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3 V
sml50j50.pdf
SML50J50 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3 V
Другие IGBT... SML3520HN, SML3525AN, SML3525BN, SML3525HN, SML4020AN, SML40H19, SML50A23, SML50C15, 4435, SML50J44F, SML50L47F, SML6609ASMD05, SML8028JVR, SML8030LVR, SML8056BVR, SML8065BVR, SML8075BVR
History: SML6609ASMD05
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor




