Справочник MOSFET. SML50J10RU2

 

SML50J10RU2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML50J10RU2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML50J10RU2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  semelab
 sml50j10ru2.pdf pdf_icon

SML50J10RU2

SML50J10RU2SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3

 8.1. Size:138K  semelab
 sml50j44f.pdf pdf_icon

SML50J10RU2

SML50J44FSOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)NCHANNEL31.5 (1.240)31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 4 ENHANCEMENT MODE4.3 (0.169 )(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)HIGH VOLTAGE1 2(4 places)RPOWER FREDFET4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3

 8.2. Size:23K  semelab
 sml50j44.pdf pdf_icon

SML50J10RU2

SML50J44SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3V

 8.3. Size:23K  semelab
 sml50j50.pdf pdf_icon

SML50J10RU2

SML50J50SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPB180N03S4L-01 | JCS5N50CT | GSM4924W | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.