SMM2348ES Todos los transistores

 

SMM2348ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMM2348ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SMM2348ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  vishay
 smm2348es.pdf pdf_icon

SMM2348ES

SMM2348ESwww.vishay.comVishay SiliconixMedical N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process UsingVDS (V) 30SMM Process FlowRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 100 % Rg and UIS TestedID (A) 8 Material categorization:Configuration SingleFor definiti

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History: BSS84KR

 

 
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