SMMBFJ310LT3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMMBFJ310LT3G

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.06 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de SMMBFJ310LT3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SMMBFJ310LT3G datasheet

 ..1. Size:101K  onsemi
 smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf pdf_icon

SMMBFJ310LT3G

MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ310L JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel http //onsemi.com Features 2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 3 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and GATE PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 DRAIN Co

Otros transistores... SML902RBN, SML9030-220M, SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES, SMMA511DJ, SMMB912DK, SMMBFJ310LT1G, RFP50N06, SMOS21N50, SMOS26N50, SMOS44N50, SMOS44N50D2, SMOS44N50D3, SMOS44N80, SMOS48N50, SMP3003-DL-1E