SMMBFJ310LT3G Todos los transistores

 

SMMBFJ310LT3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMMBFJ310LT3G
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.06 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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SMMBFJ310LT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  onsemi
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SMMBFJ310LT3G

MMBFJ309L, MMBFJ310L,SMMBFJ310LJFET - VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique3Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andGATEPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1 DRAINCo

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History: TK12V60W

 

 
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