Справочник MOSFET. SMMBFJ310LT3G

 

SMMBFJ310LT3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMMBFJ310LT3G
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMBFJ310LT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  onsemi
 smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf pdf_icon

SMMBFJ310LT3G

MMBFJ309L, MMBFJ310L,SMMBFJ310LJFET - VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique3Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andGATEPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1 DRAINCo

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: TSM2N7002KCX | BUZ100SL-4 | IRC330 | R6524KNX | PDC3903Z | SLC500MM15SHN2 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.