SMMBFJ310LT3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SMMBFJ310LT3G
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для SMMBFJ310LT3G
SMMBFJ310LT3G Datasheet (PDF)
smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf

MMBFJ309L, MMBFJ310L,SMMBFJ310LJFET - VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique3Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andGATEPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1 DRAINCo
Другие MOSFET... SML902RBN , SML9030-220M , SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , SMMA511DJ , SMMB912DK , SMMBFJ310LT1G , IRF2807 , SMOS21N50 , SMOS26N50 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 , SMOS44N80 , SMOS48N50 , SMP3003-DL-1E .
History: SML20B56F | WMO26N60C4
History: SML20B56F | WMO26N60C4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet