SMOS21N50 Todos los transistores

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SMOS21N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMOS21N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 135 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-247AD

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SMOS21N50 Datasheet (PDF)

1.1. smos21n50 smos26n50.pdf Size:135K _update_mosfet

SMOS21N50
SMOS21N50

SMOS21N50, SMOS26N50 Power MOSFETs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 D 3.55 3.65 0.140 0.144 S (TAB) E 4.32 5.49 0.170 0.216 D G F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 G=Gate, D=Drain, K 10.8 11.0 0.426 0.433 S=Source,TAB=Drain

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