VN30AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN30AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-39

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VN30AB datasheet

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VN30AB

Otros transistores... SMOS44N50D3, SMOS44N80, SMOS48N50, SMP3003-DL-1E, SMP3003-DL-E, SMP3003-TL-1E, SN7002N, SN7002W, AO3400A, VN3205N3, VN3205N8, VN3515L, VN35AB, VN35AK, VN4012L, VN66AD, VN66AK