VN30AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN30AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO-39

Аналог (замена) для VN30AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN30AB даташит

 ..1. Size:117K  njs
 vn30ab vn35ab vn67ab vn89ab vn90ab.pdf pdf_icon

VN30AB

Другие IGBT... SMOS44N50D3, SMOS44N80, SMOS48N50, SMP3003-DL-1E, SMP3003-DL-E, SMP3003-TL-1E, SN7002N, SN7002W, AO3400A, VN3205N3, VN3205N8, VN3515L, VN35AB, VN35AK, VN4012L, VN66AD, VN66AK