VN3205N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN3205N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de VN3205N3 MOSFET
VN3205N3 Datasheet (PDF)
vn3205.pdf

Supertex inc. VN3205N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdownThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirementa vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of parallelingsilicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching s
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History: 2SJ212 | BUK9840-55 | SFI9610 | H02N60F
History: 2SJ212 | BUK9840-55 | SFI9610 | H02N60F



Liste
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