VN3205N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VN3205N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VN3205N3

VN3205N3 Datasheet (PDF)

8.1. Size:687K supertex
vn3205.pdf

Supertex inc. VN3205N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdownThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirementa vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of parallelingsilicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching s

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