Справочник MOSFET. VN3205N3

 

VN3205N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN3205N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN3205N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN3205N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:687K  supertex
 vn3205.pdf pdf_icon

VN3205N3

Supertex inc. VN3205N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdownThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirementa vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of parallelingsilicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching s

Другие MOSFET... SMOS44N80 , SMOS48N50 , SMP3003-DL-1E , SMP3003-DL-E , SMP3003-TL-1E , SN7002N , SN7002W , VN30AB , IRF730 , VN3205N8 , VN3515L , VN35AB , VN35AK , VN4012L , VN66AD , VN66AK , VN67AB .

History: BUK9840-55 | SFI9610 | 2SJ212 | H02N60F

 

 
Back to Top

 


 
.