IXTM12N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTM12N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 150 nC
Tiempo de subida (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204
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IXTM12N100 Datasheet (PDF)
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf
VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N
ixth12n50a ixtm12n50a.pdf
VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH 12 N50A 500 V 12 A 0.4 Power MOSFETIXTM 12 N50A 500 V 12 A 0.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C12 AIDM TC
Otros transistores... IXTH8P50 , IXTK21N100 , IXTK33N45 , IXTK33N50 , IXTK74N20 , IXTM10N100 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , 75N75 , IXTM12N50A , IXTM12N90 , IXTM13N80 , IXTM14N80 , IXTM15N60 , IXTM20N60 , IXTM21N50 , IXTM24N50 .
