VN4012L Todos los transistores

 

VN4012L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN4012L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de VN4012L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VN4012L Datasheet (PDF)

 8.1. Size:544K  supertex
vn4012.pdf pdf_icon

VN4012L

Supertex inc. VN4012N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

Otros transistores... SN7002N , SN7002W , VN30AB , VN3205N3 , VN3205N8 , VN3515L , VN35AB , VN35AK , STP65NF06 , VN66AD , VN66AK , VN67AB , VN67AD , VN67AFD , VN67AK , VN89AB , VN90AB .

History: FDMA86551L | IRFP354PBF | HY4008A | MDP1723 | R6006JNX | SWD15N65J | IRF6644PBF

 

 
Back to Top

 


 
.