VP2106 Todos los transistores

 

VP2106 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VP2106
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de VP2106 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VP2106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  supertex
vp2106.pdf pdf_icon

VP2106

Supertex inc. VP2106P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

 0.1. Size:41K  diodes
zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf pdf_icon

VP2106

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

 0.2. Size:53K  diodes
zvp2106a.pdf pdf_icon

VP2106

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

 0.3. Size:77K  diodes
zvp2106g.pdf pdf_icon

VP2106

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

Otros transistores... VNT009A , VNT009D , VP0104 , VP0106 , VP0109 , VP0550 , VP0808 , VP1008CSM4 , IRFZ44 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 .

History: AOB409L | HTD2K4P15T | SHD225628 | NTJS4405NT1 | HM1607D | NCE85H21C

 

 
Back to Top

 


 
.