Справочник MOSFET. VP2106

 

VP2106 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VP2106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для VP2106

 

 

VP2106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  supertex
 vp2106.pdf

VP2106 VP2106

Supertex inc. VP2106P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power

 0.1. Size:41K  diodes
 zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf

VP2106 VP2106

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

 0.2. Size:53K  diodes
 zvp2106a.pdf

VP2106 VP2106

P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP2106AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)=5VGS=-10V D-9V G S-8VE-Line-7VTO92 Compatible-6VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-5VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT-4V-3.5VDrain-Source Voltage VDS -60 V-8 -10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID -280 mAPulsed Drain Current IDM -4 AGate Source V

 0.3. Size:77K  diodes
 zvp2106g.pdf

VP2106 VP2106

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

 0.4. Size:15K  diodes
 zvp2106b.pdf

VP2106 VP2106

ZVP2106BMECHANICAL DATAP CHANNEL ENHANCEMENTDimensions in mm (inches)MODE DMOS FETBVDSS - 60V8.89 (0.35)9.40 (0.37)7.75 (0.305)ID(cont) 0.76A8.51 (0.335)RDS(on) 0.54.19 (0.165)4.95 (0.195)0.89max.(0.035)12.70(0.500)7.75 (0.305)min.8.51 (0.335)dia.FEATURES5.08 (0.200)typ. FAST SWITCHING SPEEDS2.542(0.100)1 3 NO SECONDARY

 0.5. Size:61K  diodes
 zvp2106gta zvp2106gtc.pdf

VP2106 VP2106

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT6G ZVP2106GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS=S-10V T I D T I V -9V T T V D-8V G-7VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-6V T V IT-5V-4VD i V I VD V-3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated).

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top