VP2106. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP2106

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VP2106

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP2106 даташит

 ..1. Size:626K  supertex
 vp2106.pdf pdf_icon

VP2106

Supertex inc. VP2106 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power

 0.1. Size:41K  diodes
 zvp2106astob zvp2106astz zvp2106as zvp2106astoa.pdf pdf_icon

VP2106

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2106A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 60 Volt VDS * RDS(on)=5 VGS= -10V D -9V G S -8V E-Line -7V TO92 Compatible -6V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. -5V PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT -4V -3.5V Drain-Source Voltage VDS -60 V -8 -10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -280 mA Pulsed Drain Current IDM -4 A Gate Source V

 0.2. Size:53K  diodes
 zvp2106a.pdf pdf_icon

VP2106

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP2106A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 60 Volt VDS * RDS(on)=5 VGS= -10V D -9V G S -8V E-Line -7V TO92 Compatible -6V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. -5V PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT -4V -3.5V Drain-Source Voltage VDS -60 V -8 -10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -280 mA Pulsed Drain Current IDM -4 A Gate Source V

 0.3. Size:77K  diodes
 zvp2106g.pdf pdf_icon

VP2106

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT 6G ZVP2106G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 MARCH 96 T D V I VD D VGS= S -10V T I D T I V -9V T T V D -8V G -7V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. -6V T V IT -5V -4V D i V I VD V -3.5V i D i T ID -8 -10 I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated).

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VNT009A, VNT009D, VP0104, VP0106, VP0109, VP0550, VP0808, VP1008CSM4, IRFZ44, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, VP5225