VP2450N8 Todos los transistores

 

VP2450N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VP2450N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

 Búsqueda de reemplazo de VP2450N8 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VP2450N8 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:849K  supertex
 vp2450.pdf pdf_icon

VP2450N8

VP2450P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdown The Supertex VP2450 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirementand Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produces a device with

Otros transistores... VP0550 , VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , IRF640N , VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 .

History: TK14A55D

 

 
Back to Top

 


 
.