VS-FB190SA10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-FB190SA10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 351 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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VS-FB190SA10 datasheet

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VS-FB190SA10

VS-FB190SA10 www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 190 A FEATURES Fully isolated package Very low on-resistance Fully avalanche rated Dynamic dV/dt rating Low drain to case capacitance Low internal inductance Optimized for SMPS applications SOT-227 Easy to use and parallel Industry standard outline Designed and qualified for in

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