HAT2153R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HAT2153R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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HAT2153R datasheet

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HAT2153R

2010 4 1 NEC

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HAT2153R

2010 4 1 NEC

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HAT2153R

HAT2169N Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Preliminary Rev.0.01 May.29.2005 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 3.1 m typ. (at VGS = 10 V) Outline LFPAK-i 5 6 7 8 D D D D 1(S) 4 2(S) G 8(D) 3(S) 1, 2, 3 Source 7(D) 4(G) 4 Gate 6(D

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HAT2153R

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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