HAT2153R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HAT2153R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для HAT2153R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HAT2153R даташит

 ..1. Size:397K  renesas
hat2153r.pdfpdf_icon

HAT2153R

2010 4 1 NEC

 0.1. Size:402K  renesas
hat2153rj.pdfpdf_icon

HAT2153R

2010 4 1 NEC

 9.1. Size:104K  renesas
hat2169n.pdfpdf_icon

HAT2153R

HAT2169N Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Preliminary Rev.0.01 May.29.2005 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 3.1 m typ. (at VGS = 10 V) Outline LFPAK-i 5 6 7 8 D D D D 1(S) 4 2(S) G 8(D) 3(S) 1, 2, 3 Source 7(D) 4(G) 4 Gate 6(D

 9.2. Size:124K  renesas
rej03g0177 hat2132hds.pdfpdf_icon

HAT2153R

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... HAF2012L, HAF2012S, HAT1038RJ, HAT2028RJ, HAT2033RJ, HAT2038RJ, HAT2114RJ, HAT2126RP, AON7410, HAT2265H, HAT3008RJ, HAT3018RJ, HCD6NC70S, HCD7N70S, HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V