HCT7000MTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCT7000MTXV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC
Búsqueda de reemplazo de HCT7000MTXV MOSFET
HCT7000MTXV Datasheet (PDF)
hct7000m hct7000mtxv.pdf

Product Bulletin HCT7000MJanuary 1996N-Channel Enhancement Mode MOS TransistorType HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXVFeatures Absolute Maximum RatingsDrain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V200mA IDGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
hct70r910.pdf

March 2020HCT70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.94 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Powe
hct70r1k1.pdf

August 2020HCT70R1K1 700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.1 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.3 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Power
Otros transistores... HCD6NC70S , HCD7N70S , HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , IRFZ24N , HCU6N70S , HCU7NE70S , HFA9N90 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S .
History: SSM6K06FU | LNND04R120 | P4004ED
History: SSM6K06FU | LNND04R120 | P4004ED



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet