HCT7000MTXV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCT7000MTXV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: LCC

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HCT7000MTXV datasheet

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HCT7000MTXV

Product Bulletin HCT7000M January 1996 N-Channel Enhancement Mode MOS Transistor Type HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV Features Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V 200mA I D Gate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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HCT7000MTXV

March 2020 HCT70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 5.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.94 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 11.2 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Powe

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HCT7000MTXV

August 2020 HCT70R1K1 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 4.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.1 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.3 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power

Otros transistores... HCD6NC70S, HCD7N70S, HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, TK10A60D, HCU6N70S, HCU7NE70S, HFA9N90, HFB1N60S, HFB1N65S, HFB1N70S, HFD1N60S, HFD1N65S