HCT7000MTXV Todos los transistores

 

HCT7000MTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCT7000MTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC
 

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HCT7000MTXV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  optek
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HCT7000MTXV

Product Bulletin HCT7000MJanuary 1996N-Channel Enhancement Mode MOS TransistorType HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXVFeatures Absolute Maximum RatingsDrain-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V200mA IDGate-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 9.1. Size:377K  semihow
 hct70r910.pdf pdf_icon

HCT7000MTXV

March 2020HCT70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.94 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Powe

 9.2. Size:409K  semihow
 hct70r1k1.pdf pdf_icon

HCT7000MTXV

August 2020HCT70R1K1 700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.1 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.3 nCApplication Package & Internal Circuit Switch Mode Power

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