HFD1N65S Todos los transistores

 

HFD1N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFD1N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 3 nC

Tiempo de elevación (tr): 21 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 13.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: D-PAK

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HFD1N65S Datasheet (PDF)

1.1. hfd1n65s.pdf Size:193K _update_mosfet

HFD1N65S
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April 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFD1N65S / HFU1N65S ID = 0.9 A 650V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N65S HFU1N65S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge :

4.1. hfd1n60s.pdf Size:195K _update_mosfet

HFD1N65S
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Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60S ID = 1.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (T

 

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