HFD1N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFD1N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13.5 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для HFD1N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD1N65S даташит

 ..1. Size:193K  semihow
 hfd1n65s.pdf pdf_icon

HFD1N65S

April 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFD1N65S / HFU1N65S ID = 0.9 A 650V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N65S HFU1N65S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge

 8.1. Size:208K  semihow
 hfu1n60f hfd1n60f.pdf pdf_icon

HFD1N65S

Oct 2016 HFU1N60F / HFD1N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 1A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche Tested Qg, Typ 3.7 nC RoHS Compliant HFU1N60F HFD1N60F Symbol TO-251 TO-252 D S S D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless

 8.2. Size:195K  semihow
 hfd1n60s hfu1n60s.pdf pdf_icon

HFD1N65S

Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60S ID = 1.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (T

 8.3. Size:195K  semihow
 hfd1n60s.pdf pdf_icon

HFD1N65S

Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD1N60S / HFU1N60S ID = 1.0 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD1N60S HFU1N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S, HFA9N90, HFB1N60S, HFB1N65S, HFB1N70S, HFD1N60S, 5N60, HFD2N60, HFD2N60S, HFD2N60U, HFD2N65S, HFD2N65U, HFD2N70S, HFD2N90, HFD3N80