HFD3N80 Todos los transistores

 

HFD3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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HFD3N80 Datasheet (PDF)

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HFD3N80

Jan 2013BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFD3N80/HFU3N80ID = 2.5 A800V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD3N80 HFU3N80 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.)

Otros transistores... HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U , HFD2N65S , HFD2N65U , HFD2N70S , HFD2N90 , STF13NM60N , HFD4N50 , HFD5N40 , HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , HFD5N60U , HFD5N65S , HFD5N65U .

History: QM6016S | QM6020P

 

 
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