HFD3N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFD3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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HFD3N80 datasheet

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HFD3N80

Jan 2013 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFD3N80/HFU3N80 ID = 2.5 A 800V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD3N80 HFU3N80 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ.)

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