Справочник MOSFET. HFD3N80

 

HFD3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFD3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  semihow
 hfd3n80.pdf pdf_icon

HFD3N80

Jan 2013BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFD3N80/HFU3N80ID = 2.5 A800V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD3N80 HFU3N80 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.)

Другие MOSFET... HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U , HFD2N65S , HFD2N65U , HFD2N70S , HFD2N90 , IRF2807 , HFD4N50 , HFD5N40 , HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , HFD5N60U , HFD5N65S , HFD5N65U .

History: CSFR3N60LD | FCA20N60

 

 
Back to Top

 


 
.