HFD3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFD3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для HFD3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD3N80 даташит

 ..1. Size:260K  semihow
 hfd3n80.pdf pdf_icon

HFD3N80

Jan 2013 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFD3N80/HFU3N80 ID = 2.5 A 800V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD3N80 HFU3N80 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ.)

Другие IGBT... HFD1N65S, HFD2N60, HFD2N60S, HFD2N60U, HFD2N65S, HFD2N65U, HFD2N70S, HFD2N90, STF13NM60N, HFD4N50, HFD5N40, HFD5N50S, HFD5N50U, HFD5N60S, HFD5N60U, HFD5N65S, HFD5N65U