HFD3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HFD3N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
Аналог (замена) для HFD3N80
HFD3N80 Datasheet (PDF)
hfd3n80.pdf

Jan 2013BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFD3N80/HFU3N80ID = 2.5 A800V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD3N80 HFU3N80 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.)
Другие MOSFET... HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U , HFD2N65S , HFD2N65U , HFD2N70S , HFD2N90 , IRF2807 , HFD4N50 , HFD5N40 , HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , HFD5N60U , HFD5N65S , HFD5N65U .
History: IXTT24N50Q | IRF7749L1 | BUK9Y30-75B
History: IXTT24N50Q | IRF7749L1 | BUK9Y30-75B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015