HFD3N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFD3N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.8 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
HFD3N80 Datasheet (PDF)
..1. Size:260K semihow
hfd3n80.pdf
hfd3n80.pdf
Jan 2013BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFD3N80/HFU3N80ID = 2.5 A800V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD3N80 HFU3N80 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
