HFH10N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH10N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm

Encapsulados: TO-3P

 Búsqueda de reemplazo de HFH10N80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HFH10N80 datasheet

 ..1. Size:207K  semihow
 hfh10n80.pdf pdf_icon

HFH10N80

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 0.92 HFH10N80 ID = 10 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ ) Exte

Otros transistores... HFD5N70U, HFD630, HFD6N60U, HFD6N65U, HFD6N70U, HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, K2611, HFH11N90, HFH13N80, HFH18N50S, HFH19N60, HFH6N90, HFH7N80, HFI50N06, HFI640