HFH10N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFH10N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.15 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
HFH10N80 Datasheet (PDF)
..1. Size:207K semihow
hfh10n80.pdf
hfh10n80.pdf
Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 0.92 HFH10N80ID = 10 A800V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ ) Exte
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
