HFH10N80 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFH10N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFH10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для HFH10N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  semihow
 hfh10n80.pdf pdf_icon

HFH10N80

Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 0.92 HFH10N80ID = 10 A800V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ ) Exte

Другие MOSFET... HFD5N70U , HFD630 , HFD6N60U , HFD6N65U , HFD6N70U , HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , K2611 , HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 .

History: FDS3612 | IPP60R070CFD7 | IPA95R1K2P7 | GSM9972S | IRFS9540 | HFH11N90 | FDS2070N3

 

 
Back to Top

 


 
.