HFH10N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFH10N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HFH10N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH10N80 даташит

 ..1. Size:207K  semihow
 hfh10n80.pdf pdf_icon

HFH10N80

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 0.92 HFH10N80 ID = 10 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ ) Exte

Другие IGBT... HFD5N70U, HFD630, HFD6N60U, HFD6N65U, HFD6N70U, HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, K2611, HFH11N90, HFH13N80, HFH18N50S, HFH19N60, HFH6N90, HFH7N80, HFI50N06, HFI640