HFP10N65S Todos los transistores

 

HFP10N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP10N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HFP10N65S Datasheet (PDF)

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HFP10N65S

March 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP10N65SID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

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HFP10N65S

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.8 HFP10N65U ID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

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HFP10N65S

Feb 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.67 HFP10N60U ID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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HFP10N65S

Nov 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP10N60SID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

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