HFP10N65S Todos los transistores

 

HFP10N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP10N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HFP10N65S datasheet

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HFP10N65S

March 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFP10N65S ID = 9.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

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HFP10N65S

March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.8 HFP10N65U ID = 9.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

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HFP10N65S

Feb 2013 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.67 HFP10N60U ID = 9.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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HFP10N65S

Nov 2007 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP10N60S ID = 9.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

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