HFP10N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFP10N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP10N65S

HFP10N65S Datasheet (PDF)

..1. Size:172K semihow
hfp10n65s.pdf

March 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP10N65SID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

6.1. Size:201K semihow
hfp10n65u.pdf

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.8 HFP10N65U ID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

7.1. Size:201K semihow
hfp10n60u.pdf

Feb 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.67 HFP10N60U ID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

7.2. Size:189K semihow
hfp10n60s.pdf

Nov 2007BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP10N60SID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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