HFP11N40 Todos los transistores

 

HFP11N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP11N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 35 nC

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP11N40

 

HFP11N40 Datasheet (PDF)

1.1. hfp11n40.pdf Size:179K _update_mosfet

HFP11N40
HFP11N40

Dec 2005 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFP11N40 ID = 11.4 A 400V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


HFP11N40
  HFP11N40
  HFP11N40
  HFP11N40
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SIZ710DT | SIZ704DT | SIZ702DT | SIZ342DT | SIZ340DT | SIZ300DT | SIX3439K | SISS40DN | SISS23DN | SISA18DN | SISA18ADN | SISA14DN | SISA12DN | SISA12ADN | SISA10DN |

 

 

 
Back to Top