HFP11N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP11N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 11.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 35 nC
Tiempo de elevación (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP11N40
HFP11N40 Datasheet (PDF)
1.1. hfp11n40.pdf 
Size:179K _update_mosfet
Dec 2005 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFP11N40 ID = 11.4 A 400V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
