HFP11N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP11N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de HFP11N40 MOSFET
HFP11N40 Datasheet (PDF)
hfp11n40.pdf

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFP11N40ID = 11.4 A400V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(
Otros transistores... HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 , IRF540N , HFP12N60S , HFP12N60U , HFP12N65S , HFP12N65U , HFP13N50S , HFP13N50U , HFP13N60U , HFP13N65U .
History: SIHLI540G | SSM40N03P | 2N3460 | 2SJ419 | IXTH67N10MA | HFD8N65U | DMT4011LFG
History: SIHLI540G | SSM40N03P | 2N3460 | 2SJ419 | IXTH67N10MA | HFD8N65U | DMT4011LFG



Liste
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