Справочник MOSFET. HFP11N40

 

HFP11N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP11N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP11N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP11N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  semihow
 hfp11n40.pdf pdf_icon

HFP11N40

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFP11N40ID = 11.4 A400V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

Другие MOSFET... HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 , IRF540 , HFP12N60S , HFP12N60U , HFP12N65S , HFP12N65U , HFP13N50S , HFP13N50U , HFP13N60U , HFP13N65U .

History: 2SK1298 | LSG65R380GT | SPD07N60C3 | HY050N08P | GP1M007A090XX | SPP80N06S-08 | CSD17573Q5B

 

 
Back to Top

 


 
.