HFP11N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP11N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP11N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP11N40 даташит

 ..1. Size:179K  semihow
 hfp11n40.pdf pdf_icon

HFP11N40

Dec 2005 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFP11N40 ID = 11.4 A 400V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

Другие IGBT... HFI50N06, HFI640, HFN6N70U, HFP10N60S, HFP10N60U, HFP10N65S, HFP10N65U, HFP10N80, IRF540N, HFP12N60S, HFP12N60U, HFP12N65S, HFP12N65U, HFP13N50S, HFP13N50U, HFP13N60U, HFP13N65U