HFP5N65S Todos los transistores

 

HFP5N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP5N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 10.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFP5N65S

 

HFP5N65S Datasheet (PDF)

1.1. hfp5n65s.pdf Size:207K _update_mosfet

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Oct 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 HFP5N65S ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 10 5 nC (Typ )

3.1. hfp5n65u.pdf Size:204K _update_mosfet

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March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFP5N65U ID = 4.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 4.1. hfp5n60u.pdf Size:205K _update_mosfet

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May 2012 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP5N60U ID = 4.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

4.2. hfp5n60s.pdf Size:172K _update_mosfet

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Aug 2007 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP5N60S ID = 4.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

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