HFP5N65S Todos los transistores

 

HFP5N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP5N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HFP5N65S Datasheet (PDF)

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HFP5N65S

Oct 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFP5N65SID = 4.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 10 5 nC (Typ )

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HFP5N65S

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFP5N65U ID = 4.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.1. Size:408K  semihow
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HFP5N65S

Oct 2016HFP5N60F / HFS5N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 5A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 12.5 nC RoHS CompliantHFP5N60F HFS5N60FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unle

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HFP5N65S

May 2012BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP5N60U ID = 4.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

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