IXTM67N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTM67N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO204

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IXTM67N10 datasheet

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IXTM67N10

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 67N10 100 V 67 A 25 m IXTH / IXTM 75N10 100 V 75 A 20 m IXTT 75N10 N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 100 V TO-204 AE (IXTM) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30

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IXTM67N10

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IXTM67N10

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH / IXTM 6N90 900 V 6 A 1.8 Power MOSFET IXTH / IXTM 6N90A 900 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C6 A T

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IXTM67N10

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH / IXTM 6N80 800 V 6 A 1.8 Power MOSFET IXTH / IXTM 6N80A 800 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C6 A TO

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