IXTM67N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTM67N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTM67N10

IXTM67N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:579K ixys
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

9.1. Size:63K ixys
ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf

9.2. Size:104K ixys
ixth6n90-a ixtm6n90-a.pdf

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N90 900 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N90A 900 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 AT

9.3. Size:102K ixys
ixth6n80-a ixtm6n80-a.pdf

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N80 800 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N80A 800 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 ATO

Otros transistores... IXTM21N50 , IXTM24N50 , IXTM35N30 , IXTM40N30 , IXTM42N20 , IXTM50N20 , IXTM5N100 , IXTM5N100A , 10N65 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A , IXTM75N10 , IXTN21N100 , IXTP15N25MA , IXTP15N25MB .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: