HFS11N40 Todos los transistores

 

HFS11N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFS11N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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HFS11N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  semihow
 hfs11n40.pdf pdf_icon

HFS11N40

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFS11N40ID = 11.4 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RD

 8.1. Size:341K  vishay
 irfs11n50apbf sihfs11n50a.pdf pdf_icon

HFS11N40

IRFS11N50A, SiHFS11N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.52 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 52RequirementQgs (nC) 13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 18 Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanc

Otros transistores... HFP8N65U , HFP8N70U , HFP9N50 , HFS10N60S , HFS10N60U , HFS10N65S , HFS10N65U , HFS10N80 , AON7506 , HFS12N60S , HFS12N60U , HFS12N65S , HFS12N65U , HFS13N50S , HFS13N50U , HFS13N60U , HFS13N65U .

History: VP0106 | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PTP13N50B

 

 
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