HFS11N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS11N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS11N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS11N40 даташит

 ..1. Size:167K  semihow
 hfs11n40.pdf pdf_icon

HFS11N40

Dec 2005 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFS11N40 ID = 11.4 A 400V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RD

 8.1. Size:341K  vishay
 irfs11n50apbf sihfs11n50a.pdf pdf_icon

HFS11N40

IRFS11N50A, SiHFS11N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 500 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.52 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 52 Requirement Qgs (nC) 13 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgd (nC) 18 Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanc

Другие IGBT... HFP8N65U, HFP8N70U, HFP9N50, HFS10N60S, HFS10N60U, HFS10N65S, HFS10N65U, HFS10N80, IRFB3607, HFS12N60S, HFS12N60U, HFS12N65S, HFS12N65U, HFS13N50S, HFS13N50U, HFS13N60U, HFS13N65U